SI8401DB-T1-E3

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SI8401DB-T1-E3概述

P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET

* TrenchFET® Power MOSFET * MICRO FOOT® Chipscale Packaging Reduces Footprint Area Profile 0.62 mm and On-Resistance Per Footprint Area * Pin Compatible to Industry Standard Si3443DV


贸泽:
MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R


富昌:
单 P沟道 20 V 0.065 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - MICRO FOOT


Newark:
# VISHAY  SI8401DB-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -3.6 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -4.5 V


SI8401DB-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.77 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -3.60 A

上升时间 28 ns

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.36 mm

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI8401DB-T1-E3
型号: SI8401DB-T1-E3
描述:P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET

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