P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET
* TrenchFET® Power MOSFET * MICRO FOOT® Chipscale Packaging Reduces Footprint Area Profile 0.62 mm and On-Resistance Per Footprint Area * Pin Compatible to Industry Standard Si3443DV
贸泽:
MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
富昌:
单 P沟道 20 V 0.065 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - MICRO FOOT
Newark:
# VISHAY SI8401DB-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.6 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -4.5 V
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.77 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -3.60 A
上升时间 28 ns
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MicroFoot-4
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.36 mm
封装 MicroFoot-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC