SI4425BDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4425BDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 19 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -11.4 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4425BDY-T1-GE3

型号： SI4425BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4425BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道

替代型号SI4425BDY-T1-GE3

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Vishay Semiconductor 威世

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