SI4423DY-T1-GE3

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SI4423DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -10.0 A

上升时间 165 ns

下降时间 210 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4423DY-T1-GE3
型号: SI4423DY-T1-GE3
描述:MOSFET 20V 14A 3W 7.5mohm @ 4.5V

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