SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3图片1
SI4413ADY-T1-GE3图片2
SI4413ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -15.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4413ADY-T1-GE3
型号: SI4413ADY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4413ADY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 15A, SOIC
替代型号SI4413ADY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4413ADY-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

BSO080P03SHXUMA1

英飞凌

功能相似

SI4413ADY-T1-GE3和BSO080P03SHXUMA1的区别

SI4413ADY-T1-E3

威世

功能相似

SI4413ADY-T1-GE3和SI4413ADY-T1-E3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司