SI7104DN-T1-E3

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SI7104DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.70 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 52.0 W

漏源击穿电压 12.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

下降时间 10 ns

封装参数

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI7104DN-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 12V 26.1A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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