SI4421DY-T1-GE3

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SI4421DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0135 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -14.0 A

上升时间 90 ns

下降时间 170 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4421DY-T1-GE3
型号: SI4421DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4421DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV 新
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