SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3图片1
SI7136DP-T1-GE3图片2
SI7136DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7136DP-T1-GE3
型号: SI7136DP-T1-GE3
描述:VISHAY SI7136DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30A, 20V, 3.2mohm, 10V, 1V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司