SUP85N03-3M6P-GE3

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SUP85N03-3M6P-GE3概述

VISHAY  SUP85N03-3M6P-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter and power supply applications.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range
SUP85N03-3M6P-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 78.1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SUP85N03-3M6P-GE3
描述:VISHAY  SUP85N03-3M6P-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V

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