SI4451DY-T1-E3

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SI4451DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 125 ns

下降时间 235 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4451DY-T1-E3
型号: SI4451DY-T1-E3
描述:P沟道 12 V 8.25 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8

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