SI7457DP-T1-E3
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SI7457DP-T1-E3
SI7457DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
下降时间
60 ns
封装参数
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
外形尺寸
封装
SO-8
物理参数
工作温度
-55℃ ~ 150℃
其他
包装方式
Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
Non-Compliant
数据手册
在线购买SI7457DP-T1-E3
型号:
SI7457DP-T1-E3
制造商:
Vishay Semiconductor 威世
描述:
MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V
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