SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3图片1
SI7457DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

下降时间 60 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SI7457DP-T1-E3
型号: SI7457DP-T1-E3
描述:MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V

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