SIHB12N65E-GE3

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SIHB12N65E-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.33 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 19 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIHB12N65E-GE3
描述:VISHAY  SIHB12N65E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V

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