SI7846DP-T1-GE3

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SI7846DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 7 ns

下降时间 10 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7846DP-T1-GE3
型号: SI7846DP-T1-GE3
描述:N沟道150 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 150-V D-S MOSFET

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