SQD50P04-13L-GE3

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SQD50P04-13L-GE3概述

VISHAY  SQD50P04-13L-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.5 V

The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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AEC-Q101 qualified
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Package with low thermal resistance
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Halogen-free
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-55 to 175°C Operating temperature range
SQD50P04-13L-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 83 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Industrial, Automotive, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQD50P04-13L-GE3
型号: SQD50P04-13L-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQD50P04-13L-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.5 V

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