VISHAY SQD50P04-13L-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.5 V
The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
针脚数 3
漏源极电阻 0.01 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 83 W
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Industrial, Automotive, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册