SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3图片1
SIE882DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 170 ns

下降时间 85 ns

封装参数

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIE882DF-T1-GE3
描述:N通道25 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 25-V D-S MOSFET

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