SQJ461EP-T1-GE3

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SQJ461EP-T1-GE3概述

VISHAY  SQJ461EP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.013 ohm, -10 V, -2 V

The is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature and low thermal resistance.

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AEC-Q101 Qualified
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested

得捷:
MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO EP T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A


SQJ461EP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 83 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJ461EP-T1-GE3
型号: SQJ461EP-T1-GE3
描述:VISHAY  SQJ461EP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.013 ohm, -10 V, -2 V

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