SUD50P04-15-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds -40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -50.0 A
输入电容Ciss 5400pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买SUD50P04-15-E3
型号： SUD50P04-15-E3
描述：VISHAY SUD50P04-15-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 V 新
替代型号SUD50P04-15-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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SUD50P04-08-GE3 威世 | 功能相似 | SUD50P04-15-E3和SUD50P04-08-GE3的区别 |