SI4442DY-T1-GE3

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SI4442DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4442DY-T1-GE3
型号: SI4442DY-T1-GE3
描述:MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V

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