SI4448DY-T1-GE3

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SI4448DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.072 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI4448DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4448DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 50A, SOIC, 整卷

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