SIHF5N50D-E3

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SIHF5N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 325pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHF5N50D-E3
型号: SIHF5N50D-E3
描述:VISHAY  SIHF5N50D-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SIHF5N50D-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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