SIE810DF-T1-E3

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SIE810DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 10

漏源极电阻 0.0011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PolarPAK

外形尺寸

封装 PolarPAK

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SIE810DF-T1-E3
型号: SIE810DF-T1-E3
描述:VISHAY  SIE810DF-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 236 A, 20 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.3 V

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