针脚数 3
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 19 ns
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SIHF12N60E-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIHF12N60E-E3
威世
完全替代
SPA11N60C3XKSA1
英飞凌
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