SIE812DF-T1-E3

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SIE812DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125 mW

漏源极电压Vds 40.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

下降时间 10 ns

封装参数

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE812DF-T1-E3
型号: SIE812DF-T1-E3
描述:MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V

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