SQJ463EP-T1_GE3概述
VISHAY SQJ463EP-T1_GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -30A, -40V, 0.008Ω, -10V, -2V
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * AEC-Q101 Qualified * 100 % Rg and UIS Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO EP T/R
Newark:
# VISHAY SQJ463EP-T1_GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -30 A, -40 V, 0.008 ohm, -10 V, -2 V
SQJ463EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 2.5 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 4700pF @20VVds
下降时间 51 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
高度 1.07 mm
封装 PowerPAKSO-8L-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SQJ463EP-T1_GE3
型号： SQJ463EP-T1_GE3
描述：VISHAY SQJ463EP-T1_GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -30A, -40V, 0.008Ω, -10V, -2V