SIE812DF-T1-GE3

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SIE812DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.2 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIE812DF-T1-GE3
型号: SIE812DF-T1-GE3
描述:MOSFET 40V 163A 125W 2.6mohm @ 10V

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