SQM120N04-1M9-GE3

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SQM120N04-1M9-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQM120N04-1M9-GE3
型号: SQM120N04-1M9-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQM120N04-1M9-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SQM120N04-1M9-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SQM120N04-1M9-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

BUK762R0-40E

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