INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 800V 4A
欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 38W; PG-TO220-3-FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
儒卓力:
**N-CH 800V 4A 1300mOhm TO220FP **
力源芯城:
800V,4A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
额定电压DC 800 V
额定电流 4.00 A
额定功率 38 W
针脚数 3
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 570pF @100VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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