SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3图片1
SI4408DY-T1-GE3图片2
SI4408DY-T1-GE3图片3
SI4408DY-T1-GE3图片4
SI4408DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 42 ns

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4408DY-T1-GE3
型号: SI4408DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4408DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 21A, SOIC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台