SQM40N10-30-GE3概述
VISHAY SQM40N10-30-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- AEC-Q101 qualified
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- Package with low thermal resistance
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- Halogen-free
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- -55 to 175°C Operating temperature range
SQM40N10-30-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2676pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.652 mm
高度 4.826 mm
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Industrial, Automotive, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SQM40N10-30-GE3
型号： SQM40N10-30-GE3
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：VISHAY SQM40N10-30-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V