SI4862DY-T1-E3

SI4862DY-T1-E3图片1
SI4862DY-T1-E3图片2
SI4862DY-T1-E3图片3
SI4862DY-T1-E3图片4
SI4862DY-T1-E3概述

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 16V; RDSON 0.0027Ω; ID 17A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-8V; -55d

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 16V 17A 8-Pin SOIC N T/R


SI4862DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 16 V

漏源击穿电压 16 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 38 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4862DY-T1-E3
型号: SI4862DY-T1-E3
描述:MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 16V; RDSON 0.0027Ω; ID 17A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-8V; -55d

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司