SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3图片1
SIHP21N65EF-GE3图片2
SIHP21N65EF-GE3图片3
SIHP21N65EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

漏源极电压Vds 650 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHP21N65EF-GE3
型号: SIHP21N65EF-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3Pin3+Tab TO-220AB

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台