VISHAY SQD40N10-25-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
针脚数 3
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册