VISHAY SQD25N15-52-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 150 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Automotive, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册