SIHG24N65E-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIHG24N65E-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.12 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 650 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHG24N65E-E3

型号： SIHG24N65E-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：E系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

替代型号SIHG24N65E-E3

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SIHG24N65E-E3

Vishay Semiconductor 威世

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威世

完全替代

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