SIHG25N40D-GE3概述
VISHAY SIHG25N40D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
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- Low area specific ON-resistance
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- Low input capacitance CISS
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- Reduced capacitive switching losses
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- High body diode ruggedness
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- Avalanche energy rated UIS
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- Simple gate drive circuitry
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- Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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- Fast switching
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- Halogen-free
SIHG25N40D-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 278 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 1707pF @10VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 278 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SIHG25N40D-GE3
型号： SIHG25N40D-GE3
描述：VISHAY SIHG25N40D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V