SIHP16N50C-E3

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SIHP16N50C-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.31 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHP16N50C-E3
描述:VISHAY  SIHP16N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V

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