SIHG460B-GE3

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SIHG460B-GE3概述

VISHAY  SIHG460B-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V

The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.

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Low area specific ON-resistance
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Low input capacitance CISS
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Reduced capacitive switching losses
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High body diode ruggedness
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Avalanche energy rated UIS
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Simple gate drive circuitry
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Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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Fast switching
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Halogen-free
SIHG460B-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 3094pF @10VVds

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHG460B-GE3
型号: SIHG460B-GE3
描述:VISHAY  SIHG460B-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V
替代型号SIHG460B-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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