





VISHAY SIHG460B-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V
The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 278 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 3094pF @10VVds
下降时间 56 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 278 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIHG460B-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFH21N50 IXYS Semiconductor | 功能相似 | SIHG460B-GE3和IXFH21N50的区别 |
IXFH21N50F IXYS Semiconductor | 功能相似 | SIHG460B-GE3和IXFH21N50F的区别 |