SQD50N02-04-GE3

SQD50N02-04-GE3图片1
SQD50N02-04-GE3图片2
SQD50N02-04-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQD50N02-04-GE3
型号: SQD50N02-04-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQD50N02-04-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 20 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司