SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3图片1
SIHB12N50C-E3图片2
SIHB12N50C-E3图片3
SIHB12N50C-E3中文资料参数规格
技术参数

输入电容Ciss 1375pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHB12N50C-E3
型号: SIHB12N50C-E3
描述:N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司