SUP85N10-10-GE3

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SUP85N10-10-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0085 Ω

耗散功率 250 W

阈值电压 1 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 6550pF @25VVds

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SUP85N10-10-GE3
型号: SUP85N10-10-GE3
描述:N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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