VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
针脚数 3
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 175 ℃
引脚数 3
封装 TO-263
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册