SUM110N04-2M1P-E3

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SUM110N04-2M1P-E3概述

VISHAY  SUM110N04-2M1P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 1.7 mohm, 10 V, 1.2 V

The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification and power supply applications.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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-55 to 150°C Operating temperature range

得捷:
MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
N沟道 40 V 0.0021 Ω 240 nC 表面贴装 功率 Mosfet - TO-263 D2PAK


SUM110N04-2M1P-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 312 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SUM110N04-2M1P-E3
型号: SUM110N04-2M1P-E3
描述:VISHAY  SUM110N04-2M1P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 1.7 mohm, 10 V, 1.2 V

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