SIHW33N60E-GE3

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SIHW33N60E-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.083 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 60 ns

下降时间 54 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHW33N60E-GE3
型号: SIHW33N60E-GE3
描述:VISHAY  SIHW33N60E-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-247AD-3
替代型号SIHW33N60E-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SIHW33N60E-GE3

Vishay Semiconductor 威世

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