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SQJ456EP-T1-GE3概述

VISHAY SQJ456EP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 32 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

SQJ456EP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8L-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Power Management, Industrial, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： SQJ456EP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SQJ456EP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 32 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V