









N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
针脚数 3
漏源极电阻 0.104 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 37 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 2600pF @100VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 37 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.12 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Bulk
制造应用 LED Lighting, Portable Devices, Lighting, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Industrial, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHF30N60E-E3 威世 | 完全替代 | SIHF30N60E-GE3和SIHF30N60E-E3的区别 |
IPA60R125C6XKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SIHF30N60E-GE3和IPA60R125C6XKSA1的区别 |
IPA60R125C6 英飞凌 | 功能相似 | SIHF30N60E-GE3和IPA60R125C6的区别 |