SIHS36N50D-E3

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SIHS36N50D-E3概述

N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.

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Low area specific ON-resistance
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Low input capacitance CISS
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Reduced capacitive switching losses
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High body diode ruggedness
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Avalanche energy rated UIS
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Simple gate drive circuitry
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Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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Fast switching
SIHS36N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.105 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 446 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 3233pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 446 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-274

外形尺寸

长度 16.1 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.8 mm

封装 TO-274

其他

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHS36N50D-E3
型号: SIHS36N50D-E3
描述:N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SIHS36N50D-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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