SIHW47N60E-GE3

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SIHW47N60E-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 357 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 11 ns

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHW47N60E-GE3
型号: SIHW47N60E-GE3
描述:VISHAY  SIHW47N60E-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO-247AD-3

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