SIHG20N50E-GE3概述
VISHAY SIHG20N50E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO247AC-3
The is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
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- Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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- Low input capacitance CISS
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- Reduced switching
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- Reduced conduction losses
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- Low gate charge Qg
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- Avalanche energy rated UIS
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- Halogen-free
SIHG20N50E-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 179 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1640pF @100VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 179 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 LED Lighting, Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SIHG20N50E-GE3
型号： SIHG20N50E-GE3
描述：VISHAY SIHG20N50E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO247AC-3