SI7862ADP-T1-GE3

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SI7862ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

上升时间 38 ns

下降时间 50 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7862ADP-T1-GE3
型号: SI7862ADP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

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