SIHG32N50D-E3

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SIHG32N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 390 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 75 ns

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHG32N50D-E3
型号: SIHG32N50D-E3
描述:MOSFET 500V 32A 390W 150mOhm @ 10V

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