SIHB16N50C-E3

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SIHB16N50C-E3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.38 Ω

耗散功率 38 W

阈值电压 5 V

漏源击穿电压 560 V

上升时间 156 ns

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHB16N50C-E3
型号: SIHB16N50C-E3
描述:栅极电荷提高符合RoHS指令2002/95 / EC Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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